GU-5Bのバイアスは60V前後？

ラボ主が旅行中なのでその間一度頭をリセットして
RFでのお試しの前に最適なバイアスを考えてみました。

今までのお試しから・・・

バイアス41.5Vで4870V・400mAでしたから2KW弱の
全損失でしたが、高圧を2500V掛けた時に数10mA
流れたので、静特性表からもしかしたら5000Vなら
そのくらいは流れるかもと予測していました。
その時点でバイアスを深くしておくことも出来ましたが
球が転けるまでは流れないだろう、とお気楽に5000Vを
印加してみたわけです。（笑

直流的な振る舞いを確認するのにPd2.5KWの球なので
最大電圧の5600Vで400mAを流し2.24KWの全損失まで
データ採取してみようと思っていたのですが、
偶然にも400mA流れたので、5000V弱の電圧で保たなきゃ
5600Vは掛けられんだろう・・・ということで10分間
連続を試してみたのですが、全く大丈夫だったの一安心。

アバウトな静特性表から予想してみる

線が太くて読み取りにくいアバウトな静特性表から、
バイアス40V、Epが5000V程度で400mA流れるところを特定し、
そこを起点としてなんとか予測すると、200mAに抑えるなら
60V位は必要でしょうかね。
とりあえず25V程度バイアスを深くし全体を65V程度にしておき、
少しずつ抜いてみることにします。

相変わらずブーストするTRのベース・コレクタ間に
シリーズに入れた5.1VのツェナDi8個を5個増やし、
1個ずつショートするやり方です。
通常なら適当なツェナDiとPNPのTRと組み合わせ、VRで
連続可変すれば良いのでしょうが、前にも書いた通り
ガリが起こりうるVR使用が嫌なのですよ。
5V単位で最適なアイドリング電流が決定できなければ、
2V程度のDiとかもシリーズの仲間に入れておき、それより
シビアにやりたきゃ一般Diの順方向電圧(VF)も参加させます。
GU-5Bの場合は200mAが180や220mAでもOKなので、5V単位で
大丈夫だと思いますけど。

VF利用の是非

ちなみにネット上でも整流DiなどのVFを利用する是非が
論議されていますが、いくつかの3-500Zパラアンプ等の
修理の際に使ってみましたが、特に問題は起きないようです。
1度だけ3CX1200Dパラのときに球のラッシュで3A級のDiが
ぶっ飛んだことあありますが、6A級にしてからダメ球で
故意にラッシュさせてみても飛ばなくなりました。（笑

深いバイアス

GS-35Bで3000〜3500V程度でもバイアスは40V位は必要という
データがあったので、もうちょっと欲しいかなと思いつつも
とりあえず40Vで組んでみましたが、案の定少なかったですね。
でも60Vって・・・深すぎじゃない？
5000V時ゼロバイアスでIp800mA程度です。
Igをバカバカ流す球とは違いますね。

800mA流すには60Vスイングしなきゃいけないってことですね。
静特性に5600Vはないので予測不能であくまで想像ですが、
アイドリング200mAとするなら65〜70Vくらいで、
ゼロバイアス時には1Aくらいだと思います。
入力のインピーによりますが100Wでも結構押せるのでは？
などと淡い期待なんぞをしているのですが。。。

交換しなくてよかった・・・

ブースト用TRは2SC2937なのでVcboは500VPc80Wと余裕ですが
以前交換しようとしていた2SD2560は150V130Wですので
電圧的にはあまり余裕はなかったですね。
手持ちで交換するなら2SC5200(230V150W)あたりが正解でした。
面倒くさがり屋で良かった。。。。です。ｗｗ

なお電流制限用の抵抗は当初390Ωパラで198Ωでしたが現在は
390Ωにしてあります。
リード線を切っただけなので見た目は変わりないですけど。（笑

6月半ばに鉄塔を2本撤去しなくてはいけませんので
クレーン使用の道路使用許可の申請書類を書いてから
寝ることにします。
1本は手下ろしになりそうです。。。＾＾；；
エレベータ付きの建柱の話もあったのですがGOが掛からず
ペンディング状態です。
アンテナいじる話も2件ありましたが暑くならないうちに
終わらせておきましょ。